• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外国专利> process for the manufacture of a semiconductor single crystal body on which at least one of the layers being separated by a transition zone

process for the manufacture of a semiconductor single crystal body on which at least one of the layers being separated by a transition zone

机译：半导体单晶的制造方法，其上至少一层被过渡区隔开

页面导航
  • 著录项
  • 相似文献

摘要

机译：

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号