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A process for the preparation of crystalline, in particular single crystal, composed of semiconductor - material, doped layers on crystalline base bodies of semiconductor material

机译:一种在半导体材料的晶体基体上制备由半导体材料掺杂层组成的晶体,特别是单晶的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE1224279B

    专利类型

  • 公开/公告日1966-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE1964S088949

  • 发明设计人 PAMMER DIPL-CHEM DR ERICH;

    申请日1964-01-03

  • 分类号B01F3/02;C23C16/448;C30B25/02;C30B31/16;H01L21;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 15:00:16

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