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A method of producing a uniform layer of pure thallium sulphide on the selenium layer of rectifier plates

机译:在整流板的硒层上生产均匀的纯硫化th层的方法

摘要

1,038,194. Selenium rectifiers. LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-G.m.b.H. April 11, 1963 [April 13, 1962; June 8, 1962], No. 14551/63. Heading H1K. In the manufacture of selenium rectifiers a solution containing a thallium compound is applied to a selenium layer on a base plate and treated with hydrogen sulphide to deposit thallium sulphide. In a preferred method a solution of thallium ethoxide in an anhydrous alcohol is sprayed on the selenium and then placed in an atmosphere of hydrogen sulphide for an hour. Alternatively a solution, e.g. of thioacetamide in alcohol, which decomposes on heating to produce only hydrogen sulphide and volatile products is mixed with the ethoxide solution or is sprayed on with, before, or after it. The resulting assembly is then heated to 100‹ C. for 5 minutes after which a counter-electrode is applied and the device formed.
机译:1,038,194。硒整流器。 LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-G.m.b.H。 1963年4月11日[1962年4月13日; 1962年6月8日],编号14551/63。标题H1K。在硒整流器的制造中,将包含th化合物的溶液施加到基板上的硒层上,并用硫化氢处理以沉积硫化th。在优选的方法中,将乙醇al的无水乙醇溶液喷雾到硒上,然后在硫化氢气氛中放置一个小时。替代地,例如,一种解决方案。乙醇中的硫代乙酰胺在加热时分解,仅产生硫化氢,并将挥发性产物与乙醇溶液混合,或在乙醇溶液上,之前或之后喷雾。然后将得到的组件加热到100℃5分钟,之后再施加反电极并形成器件。

著录项

  • 公开/公告号GB1038194A

    专利类型

  • 公开/公告日1966-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-G.M.B.H.;

    申请/专利号GB19630014551

  • 发明设计人

    申请日1963-04-11

  • 分类号H01L21/105;H01L21/108;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-23 14:42:41

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