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Method of formation of a boss of the ohmic contact by electrolytic deposition on a block of semi conducting -

机译:通过在一块半导体上进行电解沉积形成欧姆接触凸台的方法-

摘要

An ohmic contact bump, e.g. of Ag, Au, Cu, Ni or Co, is electroplated upon a semi-conductor body, e.g. of Si or Ge and preferably through apertures in a protective SiO2 mask thereon, in a plating bath into which ultrasonic energy is introduced. The D.C. may be increased in steps during plating.
机译:欧姆接触凸点,例如将Ag,Au,Cu,Ni或Co中的一部分电镀在半导体本体上,例如铝。在电镀液中引入Si或Ge,最好是通过其上的保护性SiO 2掩膜中的孔,该电镀液中引入了超声波能量。在电镀过程中,DC可以逐步增加。

著录项

  • 公开/公告号FR1468359A

    专利类型

  • 公开/公告日1967-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利号FR19660049846

  • 发明设计人

    申请日1966-02-16

  • 分类号C25D5/20;C25D7/12;H01L21/288;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-23 14:02:47

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