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首页> 外国专利> A method for producing a pertinent of the current thermally stable semiconductor component having at least one esaki - transition

A method for producing a pertinent of the current thermally stable semiconductor component having at least one esaki - transition

机译：一种生产具有至少一个esaki-transition的当前热稳定的半导体元件的方法

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机译：

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  • 公开/公告号DE1260635B

    专利类型

  • 公开/公告日1968-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE1963S088497

  • 发明设计人 WINSTEL DR GUENTER;

    申请日1963-11-29

  • 分类号H01L21/00;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/88;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 13:24:16

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