首页> 外国专利> ELECTRON BEAM CHARGE STORAGE DEVICE EMPLOYING DIODE ARRAY AND ESTABLISHING AN IMPURITY GRADIENT IN ORDER TO REDUCE THE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY IN A REGION OF ELECTRON-HOLE PAIR PRODUCTION

ELECTRON BEAM CHARGE STORAGE DEVICE EMPLOYING DIODE ARRAY AND ESTABLISHING AN IMPURITY GRADIENT IN ORDER TO REDUCE THE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY IN A REGION OF ELECTRON-HOLE PAIR PRODUCTION

机译:电子束电荷存储设备采用二极管阵列并建立杂质梯度,以降低一部分电子孔对生产中的表面重组速度

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号US3458782A

    专利类型

  • 公开/公告日1969-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BELL TELEPHONE LAB. INC.;

    申请/专利号USD3458782

  • 发明设计人 THOMAS M. BUCK;JOHN V. DALTON;

    申请日1967-10-18

  • 分类号H01L11/00;H01L3/00;H01L15/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 11:40:20

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