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SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BARRIER IMPERVIOUS TO FAST IONS AND METHOD OF MAKING

机译:具有快离子阻挡层的半导体器件及其制造方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号US3512057A

    专利类型

  • 公开/公告日1970-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TELEDYNE SYSTEMS CORP.;

    申请/专利号USD3512057

  • 发明设计人 OWEN W. HATCHER JR.;

    申请日1968-03-21

  • 分类号H01L11/00;H01L11/14;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-23 10:23:18

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