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SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING A P-N JUNCTION BETWEEN INDUCED P- AND N- REGIONS

机译：在感应的P和N区域之间采用P-N结的半导体器件

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机译：

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公开/公告号US3564355A

专利类型
公开/公告日1971-02-16

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申请/专利权人 SPRAGUE ELECTRIC CO.;
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申请/专利号USD3564355
发明设计人 KURT LEHOVOC;
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申请日1968-08-02
分类号H01L11/14;
国家 US
入库时间 2022-08-23 09:08:53

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