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硅氮氧薄膜中N-Si-O缺陷态在p-n结LED器件和光增益特性中的作用

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对掺氧后a-SiNxOy发光机制与光生载流子的复合动力学过程进行深入研究,从而证实了a-SiNxOy薄膜N-Si-O缺陷态发光机制.在p-n结LED器件研究中也发现,EL来自于电注入的载流子在N-Si-O缺陷态上的复合发光,并且N-Si-O缺陷态也作为载流子注入通道,是p-n异质结高效发光的重要原因.此外,研究了N-Si-O缺陷态在硅氮氧薄膜光增益特性的作用.

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来源
《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》|2017年|11-12|共2页
会议地点厦门
作者
林泽文; 陈坤基; 张鹏展; 徐骏; 董恒平; 李伟; 黄信凡;
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作者单位

厦门大学;

浙江大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;TN304.12:TN304.055;
关键词
发光二极管; 硅氮氧薄膜; 缺陷态; 发光机制; 光增益特性;
入库时间 2022-08-17 11:23:31

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