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公开/公告号CN111141775A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-12
原文格式PDF
申请/专利权人 云南北方昆物光电科技发展有限公司;
申请/专利号CN201911350855.6
发明设计人 孙祥乐;太云见;秦勇;信思树;叶薇;白兰艳;袁俊;曾祥明;杜润来;杨文运;黄晖;
申请日2019-12-24
分类号
代理机构北京理工大学专利中心;
代理人周蜜
地址 650223 云南省昆明市教场东路31号201副楼
入库时间 2023-12-17 08:38:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-05
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/2251 申请日:20191224
实质审查的生效
2020-05-12
公开
机译: 具有跨所述P-N结的低电阻路径的多层P-N结半导体开关器件
机译: 蛋白质半导体的制造方法,蛋白质半导体,P-N结的制造方法,P-N结,半导体装置的制造方法,电子装置,电子设备,以及导电性的控制方法
机译: 能够避免过早击穿电压的p-n p-n结半导体器件及其制造方法
机译:具有p-n结的半导体器件的热阻测量方法
机译:二次电子组成对比成像方法在异质结半导体器件和多层材料微观结构研究中的应用
机译:电子-声子相互作用对硅基功率半导体器件p-n结反向电流形成的影响
机译:借助InSb和InAs中的松弛光学方法来创建稳定的p-n结的问题
机译:p-n结和复杂的金属氧化物半导体器件的静电特性的变化热力学建模和实验验证
机译:P-N异质结的氧气演化活动在使用的Ti衬底上的Nio-SnO2陶瓷一个简单的逐层方法
机译:p-n结半导体器件的时间相关漂移-扩散-泊松模型的拟中性极限
机译:半导体p-N结器件的失效和开关机制