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观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法

摘要

本发明涉及一种观察锑化铟半导体器件p‑n结微观结构的样品及方法,属于半导体技术领域。通过对InSb半导体器件表面结构进行加工,获得p‑n结所在的观察区域表面结构为“钝化膜覆盖区域+薄层钝化膜覆盖区域”的样品,使得EBIC法观察InSb半导体器件中的p‑n结时电子束可透过样品表面的钝化膜,透视到InSb半导体器件中的p‑n结区域并与未透视区域形成对比,这对于InSb半导体器件的制造方法及筛选检测都有指导意义:可检测出InSb半导体器件p‑n结成结工艺是否有效,即是否在InSb半导体材料中制成了p‑n结,也可检测出用于制造InSb半导体器件的材料是否有缺陷。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/2251 申请日:20191224

    实质审查的生效

  • 2020-05-12

    公开

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