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【2h】

Quasineutral limit of a time-dependent drift–diffusion–Poisson model for p-n junction semiconductor devices

机译：p-n结半导体器件的时间相关漂移-扩散-泊松模型的拟中性极限

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Hsiao Ling; Wang Shu;
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年度 2006
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1. Quasineutral limit of a time-dependent drift-diffusion-Poisson model for p-n junction semiconductor devices [J] . Hsiao L, Wang S Journal of Differential Equations . 2006,第2期

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2. Quasineutral limit of the multi-dimensional drift-diffusion-Poisson models for semiconductors with pn-junctions [J] . Wang S Mathematical models and methods in applied sciences . 2006,第4期

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3. Quasineutral limit of the drift-diffusion model for semiconductors with general initial data [J] . Schmeiser C., Wang S. Mathematical models and methods in applied sciences . 2003,第4期

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