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机译：多晶体表位沉积硅的双极和场效应晶体管
公开/公告号US3600651A
专利类型
公开/公告日1971-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 FAIRCHILD CAMERA AND INSTRUMENT CORP.;
申请/专利号USD3600651
发明设计人 DAVID M. DUNCAN;
申请日1969-12-08
分类号H01L11/00;
国家 US
入库时间 2022-08-23 09:02:38
机译： 双极晶体管包括用于高频操作的硅层，第一类型的硅外延层，硅锗外延层和第二类型的硅外延层
机译： 在双极高性能晶体管生产中用于沉积薄膜外延层的硅晶片具有特定的电阻
机译： 非晶/多晶硅薄膜晶体管的制造例如LCD显示器涉及掺杂硅以形成一个晶体管的源极和漏极，以及沉积层在另一个晶体管的栅极上方形成绝缘
