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A method for producing of semiconductor material, consisting of hollow bodies directly heatable

机译:一种由可直接加热的空心体组成的半导体材料的制造方法

摘要

Hollow semiconductor bodies are formed from a gaseous phase by deposition on a heated mandrel and end zones of a so-produced body are doped so as to be conductive at room temperature.
机译:通过在加热的心轴上沉积而由气相形成中空的半导体本体,并且掺杂如此制成的本体的端部区域以便在室温下导电。

著录项

  • 公开/公告号DE2340225A1

    专利类型

  • 公开/公告日1975-02-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE19732340225

  • 发明设计人 SCHNOELLER MANFRED DIPL CHEM D;

    申请日1973-08-08

  • 分类号B01J17/34;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 03:58:36

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