公开/公告号CN100414681C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 NXP股份有限公司;
申请/专利号CN03823611.7
发明设计人 J·施米茨;C·拉维特;R·V·T·鲁亚克斯;
申请日2003-09-30
分类号H01L21/762(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王新华
地址 荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2022-08-23 09:01:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-08-27
授权
授权
2008-08-27
授权
授权
2007-12-12
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071109 申请日:20030930
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-12-12
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 登记生效日:20071109 变更前: 变更后: 申请日:20030930
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-12-12
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071109 申请日:20030930
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-12-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-12-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-10-26
公开
公开
2005-10-26
公开
公开
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机译: 制造具有由隔离材料填充的沟槽组成的场隔离区域的半导体器件的方法
机译: 制造具有由隔离材料填充的沟槽组成的场隔离区域的半导体器件的方法
机译: 具有沟槽隔离区域的半导体器件以及制造具有沟槽隔离区域的半导体器件的方法