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REFLECTION TYPE ELECTRONNDIFFRACTION METHOD

机译:反射型电子衍射法

摘要

PURPOSE:To develop a surface crystal diffraction microscopic method for displaying the surface distribution of the intensity of the diffraction ray in an arbitray analyzing method for very small region of the surface crystal, under a condition keeping a constant incident angle of the primary electron ray into the specimen surface.
机译:目的:开发一种表面晶体衍射显微方法,该方法在保持初级电子射线入射角恒定的条件下,在表面晶体很小区域的套利分析方法中显示衍射射线强度的表面分布。标本表面。

著录项

  • 公开/公告号JPS5359486A

    专利类型

  • 公开/公告日1978-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HITACHI LTD;

    申请/专利号JP19760134056

  • 发明设计人 HAYAKAWA KAZUNOBU;

    申请日1976-11-10

  • 分类号G01N23/207;H01J37/295;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 23:09:25

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