首页> 外国专利> amorphous semiconductor memory device for use in a read only memory electrically alterable, and more particularly to a cell of memory device for amorphous semiconductorfor use in it.

amorphous semiconductor memory device for use in a read only memory electrically alterable, and more particularly to a cell of memory device for amorphous semiconductorfor use in it.

机译:用于电可变的只读存储器中使用的非晶半导体存储器件,更具体地说,涉及用于其中的非晶半导体的存储器件的存储单元。

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号IT7823462D0

    专利类型

  • 公开/公告日1978-05-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BURROUGHS CORP.;

    申请/专利号IT19780023462

  • 发明设计人

    申请日1978-05-16

  • 分类号H01L;

  • 国家 IT

  • 入库时间 2022-08-22 22:32:24

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