退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:在硅或锗的半导体晶片的(100)表面中蚀刻图案的方法
公开/公告号DE2245809C3
专利类型
公开/公告日1978-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 WESTERN ELECTRIC CO. INC. NEW YORK N.Y. (V.ST.A.);
申请/专利号DE19722245809
发明设计人 SCHMIDT PAUL FELIX ALLENTOWN;ERDMAN WILLIAM CHARLES DANIELSVILLE;
申请日1972-09-19
分类号H01L21/306;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 22:06:05
机译: 在硅或锗的半导体晶片的(100)表面中蚀刻图案的方法
机译: 在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译: 在硅晶片表面上施加结构的方法,包括将掩模基材施加到太阳能电池的表面上,用柱塞涂覆选择的图案,并使液体蚀刻介质与蚀刻掩模接触。