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机译:半导体朋克雪崩光电二极管的制造方法
公开/公告号DE2245508C3
专利类型
公开/公告日1979-09-13
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG 1000 BERLIN UND 8000 MUENCHEN;
申请/专利号DE19722245508
发明设计人 SCHOLLMEIER GERO DIPL.-ING. 8000 MUENCHEN;
申请日1972-09-15
分类号H01L31/18;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 19:55:13
机译: 半导体朋克雪崩光电二极管的制造方法