基于化合物半导体的雪崩光电二极管的研究

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电子信息学院-学硕-章征宇-正文

第一章 绪 论

1.1 光电探测器的研究进展

1.1.1红外探测器的研究进展

1.1.2紫外探测器的研究进展

1.2 半导体光电二极管

1.2.1 PIN型光电二极管

1.2.2 雪崩光电二极管（APD）

1.2.3 雪崩光电二极管的结构

1.3 仿真模型分析

1.3.1 带带隧穿(Band to band tunnel)模型

1.3.2 陷阱辅助隧穿(Trap-Assisted Tunnel)模型

1.3.3 碰撞离化(Impact Ionization)模型

1.3.4 光生载流子(Optical Generation)模型

1.4 本文的研究内容和安排

第二章 基于InGaAs/InAlAs材料APD的研究

2.1 引言

2.2 器件结构

2.3 模型和参数的选取

第三章 基于GaN材料APD的研究

3.1 GaN材料概述

3.2 器件结构与参数选取

3.3 仿真及优化

3.4 本章小结

第四章 基于AlGaN材料APD的研究

4.1 基本原理

4.1.1 AlGaN材料

4.1.2 极化效应

4.2 SAM结构AlGaN APD

第五章总结及展望

5.1 成果总结

5.2 未来工作

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文

致谢