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机译:化合物半导体的选择性降阻法
公开/公告号DD147170A1
专利类型
公开/公告日1981-03-18
原文格式PDF
申请/专利权人 HANNEMANN MONIKA;RESCHKE RALF;KRUEGER EVELINE;
申请/专利号DD19790216470
发明设计人 RESCHKE RALF;KRUEGER EVELINE;HANNEMANN MONIKA;
申请日1979-10-26
分类号H01L21/288;
国家 DD
入库时间 2022-08-22 16:16:53
机译: 化合物半导体的选择性降阻法
机译: 选择蚀刻化合物半导体的方法和使用选择蚀刻方法制造化合物半导体器件的方法
机译: III-V族化合物半导体膜的选择性生长掩模和使用该方法的III-V族化合物半导体膜选择性生长方法