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机译:半导体中载流子能量弛豫时间的测量方法
公开/公告号SU857889A1
专利类型
公开/公告日1981-08-23
原文格式PDF
申请/专利权人 INSTFIZ POLUPROVODNIKOV AN LITSSR;
申请/专利号SU19792832545
发明设计人 ASHMONTAS STEPONAS PSU;OLEKAS ANDRYUS PSU;
申请日1979-10-25
分类号G01R31/26;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 15:25:14
机译: 通过动态和自由测量自由电荷载体松弛时间来确定半导体基质的实际电荷载体寿命的方法
机译: 通过动态和微分测量自由电荷载流子的弛豫时间来确定半导体衬底实际载流子寿命的方法
机译: 通过动态和差分测量自由电荷载流子的弛豫时间来确定半导体衬底实际载流子寿命的方法