首页> 外国专利> Field effect transistor for detection of biological reactions

Field effect transistor for detection of biological reactions

机译:用于检测生物反应的场效应晶体管

摘要

A field effect transistor including conventional source and drain electrodes employs, in the gate region, a layer of antibody specific to a particular antigen. An electrolyte solution such as 0.155 Normal sodium chloride atop the antibody layer provides a predetermined drain current versus drain voltage characteristic for the device. Replacement of the electrolyte solution with another electrolyte solution containing the antigen alters the charge of the protein surface layer due to the antigen- antibody reaction, thus affecting charge concentration in a semiconductor inversion layer in the transistor. The time rate of change of drain current thus provides a measure of the antigenic protein concentration in the replacement solution.
机译:包括常规源电极和漏电极的场效应晶体管在栅区中使用对特定抗原特异的抗体层。抗体层顶部的电解质溶液(例如0.155普通氯化钠)为设备提供了预定的漏极电流与漏极电压的关系曲线。由于抗原-抗体反应,用另一种包含抗原的电解质溶液代替电解质溶液会改变蛋白质表面层的电荷,从而影响晶体管中半导体反型层中的电荷浓度。因此,漏极电流的时间变化率提供了替代溶液中抗原蛋白浓度的量度。

著录项

  • 公开/公告号US4238757A

    专利类型

  • 公开/公告日1980-12-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC;

    申请/专利号US19760668584

  • 发明设计人 JOHN F. SCHENCK;

    申请日1976-03-19

  • 分类号H01L29/78;G01N31/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 14:51:17

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号