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SEMICONDUCTOR ELEMENT RAPIDLY REMOVING MAJORITY CARRIER FROM ACTIVE BASE REGION AT TURN OFF TIME AND METHOD OF PRODUCING SAME

机译：半导体元件在关断时可有效地从有源基极区域中去除主要载体，并且生产相同方法的方法

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公开/公告号JPS58108773A

专利类型
公开/公告日1983-06-28

原文格式PDF
申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC CO;
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申请/专利号JP19820204693
发明设计人 BANTOBARU JIEIYANTO BARIGA;
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申请日1982-11-24
分类号H01L29/74;H01L21/332;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/749;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 11:59:03

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