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SPATTER ETCHING METHOD

机译:散打法

摘要

PURPOSE:To make the ratio of the etched speed of SiO2 to Si large by forming MoF3, arranging the substane abosrbing F such as Mo, etc., close by the Si basic plate, and making the spatter etching.
机译:用途:通过形成MoF3,将大量的诸如Mo等的吸附性F排列在Si基板附近并进行溅射蚀刻,来增大SiO2与Si的蚀刻速度之比。

著录项

  • 公开/公告号JPS5946094B2

    专利类型

  • 公开/公告日1984-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJITSU LTD;

    申请/专利号JP19760044613

  • 申请日1976-04-19

  • 分类号H01L21/302;H01L21/3065;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 09:32:59

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