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机译:改进了利用基座晶体管集成电路形成单片结构的工艺,并由此获得了产品
公开/公告号MX5984E
专利类型
公开/公告日1984-09-12
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
申请/专利号MX19700100991U
发明设计人 DAVID DEWITT;
申请日1970-11-10
分类号H01L31/18;
国家 MX
入库时间 2022-08-22 09:16:38
机译: 用于单层微波集成电路的螺旋形电感器结构,其下层基座中具有气隙
机译: 作为形成集成电路的垂直型晶体管的方式,该垂直型晶体管包括集成电路结构,并且至少具有具有方式的垂直管芯晶体管DRAM电解池和具有方式的垂直管芯晶体管以及构成方式的DRAM。