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The capacitive transducer of the pressure in the silicon bound by electrostatic

机译:电容式换能器中的硅压力受静电束缚

摘要

The invention relates to a pressure transducer capacitive to the silicon bound by electrostatic. / p & & p & this transducer 10 comprises two pieces of silicon, 11, 14, at least one is fashioned of a to define a separate conductive surface, on one of these pieces 11, 14 a, close to a surface conductive willing on the other piece. A thin layer of borosilicate glass 16, 17 is wrapper on one of the surfaces above. / p & & p & the invention is used in order to avoid the priming of an arc in a pressure transducer capacitive.
机译:本发明涉及对通过静电结合的硅具有电容性的压力传感器。 & &该换能器10包括两块硅11、14,至少一个硅由a制成以在这些块11、14a中的一个上限定分离的导电表面,该导电表面靠近另一块硅上的表面导电性。一层薄薄的硼硅酸盐玻璃16、17被包裹在上面的一个表面上。 & &使用本发明是为了避免在压力传感器电容中引弧。

著录项

  • 公开/公告号FR2514502B1

    专利类型

  • 公开/公告日1984-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNITED TECHNOLOGIES CORP;

    申请/专利号FR19820016860

  • 发明设计人

    申请日1982-10-08

  • 分类号G01L9/12;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 08:45:35

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