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Bandgap control in amorphous semiconductors

机译:非晶半导体中的带隙控制

摘要

Method of producing amorphous semiconductor hydrides (hydrogenated amorphous semiconductors) with specified bandgaps. The desired bandgap is achieved by controlling the temperature and partial pressure of higher order semiconductanes which are created pyrolytically, for example, on a substrate.
机译:具有指定带隙的非晶半导体氢化物(氢化非晶半导体)的制造方法。通过控制例如在基材上热解产生的高级半导体的温度和分压,可以实现所需的带隙。

著录项

  • 公开/公告号US4465706A

    专利类型

  • 公开/公告日1984-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHRONAR CORPORATION;

    申请/专利号US19810323585

  • 发明设计人 VIKRAM L. DALAL;M. AKHTAR;

    申请日1981-11-20

  • 分类号H01L21/205;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 08:37:52

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