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Planner magnetron sputtering with a modified fielded

机译:带有改进磁场的规划器磁控溅射

摘要

The height of the principal surface of the compound target is varied alternately, so that the respective directions of the electric and magnetic fields are parallel at the boundary regions. The boundary regions are of an annular shape and are concentric with each other. A dual magnetic pole sputtering electric structure is used. It has an annular molybdenum target element, a silicon target element, which is doughnut shaped, surrounding it and a silicon disc element at its centre. The target elements are fixed to the electrode by metal bonding.
机译:复合靶的主表面的高度交替变化,使得电场和磁场的各个方向在边界区域平行。边界区域是环形的并且彼此同心。使用双磁极溅射电结构。它具有一个环形的钼靶元素,一个环绕其的甜甜圈形硅靶元素以及一个位于其中心的硅盘元素。目标元素通过金属结合固定在电极上。

著录项

  • 公开/公告号KR850005006A

    专利类型

  • 公开/公告日1985-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 미쓰다 가쓰시게;

    申请/专利号KR19840008168

  • 发明设计人 고바야시 시게루 (외 4);

    申请日1984-12-20

  • 分类号C23C14/34;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 08:00:44

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