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机译：制造温度敏感的铂薄膜电阻元件的方法
公开/公告号DE3167758D1
专利类型
公开/公告日1985-01-24
原文格式PDF
申请/专利权人 KABUSHIKI KAISHA KIRK;
申请/专利号DE19813167758T
发明设计人 YOSHIO OHNO;
申请日1981-04-14
分类号H01C7/22;H01C17/12;H01C13/00;G01N27/12;G01K7/18;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 07:58:08
机译： 高度可靠的温度点的安培器以及用于校准最大长度为250 mm的金属体的小型和微型精密铂电阻温度转换器的校准方法，其目的是为了应用而采用薄膜和电线感测元件小对象
机译： 用透明石英管和铂膜温度测量元件制造稳定的铂薄膜电阻元件的方法
