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机译:方法的单质半导体器件和高欧姆电导结
公开/公告号JPS6165484A
专利类型
公开/公告日1986-04-04
原文格式PDF
申请/专利权人 VARIAN ASSOC INC;
申请/专利号JP19850188750
发明设计人 KARORU AARU RUISU;
申请日1985-08-29
分类号H01L31/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 07:43:59
机译: 制作用于单片半导体器件的高电导欧姆结的方法
机译: 单片半导体器件的高电导欧姆结
机译: 制造欧姆电极结构的方法,制造结型FET或结SIT欧姆电极结构的方法以及半导体器件的制造方法