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High voltage circuit for use in programming memory circuits (EEPROMs)

机译:用于编程存储电路(EEPROM)的高压电路

摘要

A high voltage circuit provides a high voltage signal output in response to receiving a logic signal. The high voltage circuit includes a regenerative circuit which is coupled to a high voltage terminal and a 5 volt power supply terminal. An inverting push-pull buffer responsive to the logic signal provides a signal which is regenerated to the high voltage by the regenerative circuit when the logic signal is in a first state and maintains the signal at ground potential when the logic signal is in a second logic state.
机译:高压电路响应于接收到逻辑信号而提供高压信号输出。高压电路包括耦合到高压端子和5伏电源端子的再生电路。响应于逻辑信号的反相推挽缓冲器提供信号,该信号在逻辑信号处于第一状态时由再生电路再生为高电压,并且在逻辑信号处于第二逻辑时将其保持在地电位。州。

著录项

  • 公开/公告号US4565932A

    专利类型

  • 公开/公告日1986-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOTOROLA INC.;

    申请/专利号US19830566610

  • 发明设计人 SAM DEHGANPOUR;CLINTON C. K. KUO;

    申请日1983-12-29

  • 分类号H03K17/10;H03K3/027;H03K17/687;G11C11/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 07:29:39

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