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机译:具有v型槽绝缘结构的半导体装置及其制造方法
公开/公告号IE52351B1
专利类型
公开/公告日1987-09-30
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LIMITED;
申请/专利号IE19810000631
发明设计人
申请日1981-03-20
分类号H01L21/90;H01L21/268;H01L21/76;
国家 IE
入库时间 2022-08-22 07:20:18
机译: 具有v型槽绝缘结构的半导体装置及其制造方法
机译: 具有V型槽绝缘隔离结构的半导体器件及其制造方法