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A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A V-GROOVE INSULATING ISOLATION STRUCTURE AND A METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DEVICE

机译:具有v型槽绝缘结构的半导体装置及其制造方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号IE52351B1

    专利类型

  • 公开/公告日1987-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJITSU LIMITED;

    申请/专利号IE19810000631

  • 发明设计人

    申请日1981-03-20

  • 分类号H01L21/90;H01L21/268;H01L21/76;

  • 国家 IE

  • 入库时间 2022-08-22 07:20:18

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