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机译:由A3DOWNWARDS-B5DOWNWARDS半导体化合物制造发光二极管的过程
公开/公告号PL142447B1
专利类型
公开/公告日1987-10-31
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号PL19830243963
发明设计人
申请日1983-09-30
分类号H01L21/225;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 07:19:29
机译: 从A3向下-B5向下的半导体化合物制造发光二极管的过程
机译: 用于制造掺杂有稀土的块状半导体材料以及由该材料制造电致发光二极管的方法
机译: 技术制造过程二极管Centes电致发光辅助激光在半导体化合物中的扩散