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Use of a low dielectric loss silicon nitride material in radome applications

机译:低介电损耗氮化硅材料在天线罩应用中的使用

摘要

A composition having low dielectric constant and low dielectric loss tangent from room temperature to at least about 1100°C which comprises a silicon nitride based material containing an effective amount of a sintering aid selected from lanthanum oxide, yttrium oxide, lanthanum aluminate, yuttrium aluminate, aluminmum oxide and mixtures thereof and an effective amount of a low dielectric loss promotor selected from the group consisting of iron, chromium and mixtures thereof is a suitable radome material and electromagnetic window material.
机译:从室温到至少约1100℃具有低介电常数和低介电损耗正切的组合物,其包含氮化硅基材料,该材料包含有效量的选自氧化镧,氧化钇,铝酸镧,铝酸钇,合适的天线罩材料和电磁窗材料是铝氧化物及其混合物和有效量的选自铁,铬及其混合物的低介电损耗促进剂。

著录项

  • 公开/公告号EP0204103A2

    专利类型

  • 公开/公告日1986-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GTE PRODUCTS CORPORATION;

    申请/专利号EP19860104811

  • 发明设计人 HSIEH MARTIN Y.;

    申请日1986-04-08

  • 分类号C04B35/58;H01B3/12;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 07:15:58

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