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integrated power device containing structures formed with transistors ldmos complementarycmos structures and vertical pnp with increased ability to support a high supply voltage.

机译：集成功率器件，其包含由晶体管ldmos互补cmos结构和垂直pnp形成的结构，具有更高的支持高电源电压的能力。

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公开/公告号IT8983626D0

专利类型
公开/公告日1989-06-14

原文格式PDF
申请/专利权人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L.;
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申请/专利号IT19890083626
发明设计人 PAOLA GALBIATI;LUCIA ZULLINO;CLAUDIO CONTIERO;
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申请日1989-06-14
分类号H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8234;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/092;H01L29/732;H01L29/78;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 06:37:08

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