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METHOD OF BONDING, COUPLING AND DESTROYING LIFT-OFF REGION ON SEMICONDUCTOR STRUCTURE

机译：半导体结构上的隆起区的结合，耦合和销毁方法

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摘要

A process is described for removing polyimide regions adhered to the surface of a semiconductor structure 10 which includes the steps of heating the structure 10 and the polyimide regions 12 to between 450. degree. and 490° C., immersing the structure in a solution of one of methylene chloride and ethylene diamine/hydrazine, and ultrasonerating the solution and the semiconductor structure.

机译：描述了一种用于去除粘附到半导体结构10的表面上的聚酰亚胺区域的方法，该方法包括以下步骤：将结构10和聚酰亚胺区域12加热到450度。在490℃和490℃下，将结构浸入二氯甲烷和乙二胺/肼中的一种的溶液中，并超声处理该溶液和半导体结构。

著录项

公开/公告号JPH0345895B2

专利类型
公开/公告日1991-07-12

原文格式PDF
申请/专利权人 FUEACHAIRUDO KAMERA ENDO INSUTSURUMENTO CORP;
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申请/专利号JP19830139525
发明设计人 ARUBIN MIRUGURAMU;
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申请日1983-08-01
分类号H01L21/306;H01L21/027;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/768;H05K3/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 06:03:11

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