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LOW STRESS POLYSILICON MICROSTRUCTURES

机译:低应力多晶硅微结构

摘要

The disclosed method is for the relaxation of stresses in silicon microstructures by producing a silicide on the microstructures. Sensors comprising silicon microstructures with stress relaxation are also disclosed.
机译:所公开的方法用于通过在微结构上产生硅化物来缓和硅微结构中的应力。还公开了包括具有应力松弛的硅微结构的传感器。

著录项

  • 公开/公告号EP0436588A1

    专利类型

  • 公开/公告日1991-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号EP19890910613

  • 发明设计人 WILCOXEN DUANE T.;

    申请日1989-09-18

  • 分类号H01L29/84;G01F1/684;G01L9/00;H01L21/3205;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 05:52:45

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