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LOW STRESS POLYSILICON MICROSTRUCTURES

机译:低应力多晶硅微结构

摘要

the process described is the relaxation of stress in silicon microstructures by producing a silicide on the microstructures. sensors with silicon microstructures and stress relaxation are also described.
机译:所描述的过程是通过在微结构上产生硅化物来缓解硅微结构中的应力。还介绍了具有硅微结构和应力松弛的传感器。

著录项

  • 公开/公告号EP0436588B1

    专利类型

  • 公开/公告日1994-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号EP19890910613

  • 发明设计人 WILCOXEN DUANE T.;

    申请日1989-09-18

  • 分类号H01L21/31;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 04:39:45

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