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机译:低应力多晶硅微结构
公开/公告号US5059556A
专利类型
公开/公告日1991-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS-BENDIX AUTOMOTIVE ELECTRONICS L.P.;
申请/专利号US19900494828
发明设计人 DUANE T. WILCOXEN;
申请日1990-03-16
分类号H01L21/44;
国家 US
入库时间 2022-08-22 05:45:45
机译: 低应力多晶硅微结构