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Low stress polysilicon microstructures

机译:低应力多晶硅微结构

摘要

Method for relieving stress in silicon microstructures by forming a silicide on the microstructures. Sensors comprising a stress- relieved silicon microstructure are also described.
机译:通过在硅微结构上形成硅化物来缓解硅微结构应力的方法。还描述了包括应力消除的硅微结构的传感器。

著录项

  • 公开/公告号US5059556A

    专利类型

  • 公开/公告日1991-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS-BENDIX AUTOMOTIVE ELECTRONICS L.P.;

    申请/专利号US19900494828

  • 发明设计人 DUANE T. WILCOXEN;

    申请日1990-03-16

  • 分类号H01L21/44;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 05:45:45

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