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机译:P型沟道MOSFET的制造方法
公开/公告号KR920018980A
专利类型
公开/公告日1992-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 문정환;
申请/专利号KR19910004140
发明设计人 하용안;
申请日1991-03-15
分类号H01L29/784;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:28:00
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