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Method for depositing tungsten nitride thin film for metal wiring formation of silicon semiconductor device

机译：沉积用于硅半导体器件的金属布线形成的氮化钨薄膜的方法

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公开/公告号KR930003281A

专利类型
公开/公告日1993-02-24

原文格式PDF
申请/专利权人 박원희;
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申请/专利号KR19910012125
发明设计人 민석기;김용태;
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申请日1991-07-16
分类号H01L21/31;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:04:43

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