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机译:CCD图像传感器的光电二极管结构
公开/公告号KR930005225A
专利类型
公开/公告日1993-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 문정환;
申请/专利号KR19910014037
发明设计人 이서규;
申请日1991-08-14
分类号H01L27/146;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:04:38
机译: 用于(非)反射图像的CCD图像传感器-每行都有VCCD,通过传输门将光电二极管耦合到VCCD
机译: 平板电子X射线成像仪中的光电二极管和其他传感器结构,以及基于薄膜电子的改善平板X射线成像仪中光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法
机译: -平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及基于薄膜电子的改进平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法