首页> 外国专利> ECR plasma reaction apparatus having uniform magnetic field gradient

ECR plasma reaction apparatus having uniform magnetic field gradient

机译:具有均匀磁场梯度的ECR等离子体反应装置

摘要

A plasma reaction apparatus has main and auxiliary magnetic field generating coils for generating a magnetic field which has a gradient of no more than 50 gauss/cm in the axial direction and a difference between the axial magnetic field gradient and the magnetic field gradient ten centimeters from the axis of no more than 10 gauss/cm for processing a semiconductor substrate. The plasma reaction apparatus is able to generate a high density, uniform plasma so that the semiconductor substrate is uniformly processed at high speed.
机译:等离子体反应设备具有主磁场产生线圈和辅助磁场产生线圈,用于产生在轴向方向上的梯度不超过50高斯/ cm,且轴向磁场梯度与磁场梯度之间相差十厘米的磁场。用于处理半导体衬底的轴不超过10高斯/厘米。等离子体反应设备能够产生高密度,均匀的等离子体,从而可以高速均匀地处理半导体衬底。

著录项

  • 公开/公告号US5292395A

    专利类型

  • 公开/公告日1994-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA;

    申请/专利号US19920885603

  • 发明设计人 NOBUO FUJIWARA;

    申请日1992-05-19

  • 分类号H01L21/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 04:32:10

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号