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SiCr THIN FILM RESISTORS HAVING IMPROVED TEMPERATURE COEFFICIENTS OF RESISTANCE AND SHEET RESISTANCE

机译：SiCr薄膜电阻器的电阻和抗剪片温度系数均得到改善

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摘要

The temperature coefficient of resistance and sheet resistance of SiCr thin film resistors are substantially enhanced by rapidly annealing the SiCr thin film at a temperature in the range of about 550 to about 650 °C in a nitrogen atmosphere.

机译：通过在氮气气氛中在约550℃至约650℃的温度范围内对SiCr薄膜进行快速退火，可以大大提高SiCr薄膜电阻器的电阻温度系数和薄层电阻。

著录项

公开/公告号WO9506947A1

专利类型
公开/公告日1995-03-09

原文格式PDF
申请/专利权人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION;
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申请/专利号WO1994US08135
发明设计人 MAGHSOUDNIA PIROUZ;
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申请日1994-07-19
分类号H01C7/00;
国家 WO
入库时间 2022-08-22 04:14:50

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