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Method for selectively etching diamond (PROCESS FOR SELECTIVELY ETCHING DIAMOND)

机译:选择性刻蚀金刚石的方法(选择性刻蚀金刚石的过程)

摘要

A method of selectively etching a diamond substrate comprises forming a graphite region in the diamond substrate and forming a diamond layer on the diamond substrate as a gaseous reactant under conditions sufficient to substantially change the graphite region to a gaseous product while substantially avoiding reaction of the diamond substrate with the diamond. And selectively etching the substrate. Technique can be used, for example, to form a single crystal diamond layer using a lift-off technique.
机译:一种选择性地蚀刻金刚石基底的方法,包括在足以基本上将石墨区域改变成气态产物而基本上避免金刚石反应的条件下,在金刚石基底中形成石墨区域并在金刚石基底上形成金刚石层作为气态反应物。底材与钻石。并选择性地蚀刻基板。可以使用例如剥离技术来形成单晶金刚石层的技术。

著录项

  • 公开/公告号KR1019957003206A

    专利类型

  • 公开/公告日1995-08-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 웨인 알. 존스;

    申请/专利号KR1019950700774

  • 发明设计人 내린 알. 패리크;존 디. 헌;

    申请日1995-02-28

  • 分类号H01L21/306;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 04:12:18

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