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Step-by-step growth method of single crystal diamond film

机译:单晶金刚石膜的逐步生长方法

摘要

The present invention relates to a step-by-step growth method for synthesizing a single crystal diamond film having a minimum mismatch between particles or a substrate and a surface roughness on a Si single crystal substrate. According to the method of the present invention, the surface growth is minimized by selectively growing the aggregate structure having the same lattice direction as the Si substrate in the first step, and controlling the synthesis conditions step by step to enable the two-dimensional growth of the diamond in the second step. The prepared single crystal diamond film can be synthesized.
机译:本发明涉及一种逐步生长方法,该方法用于合成单晶金刚石膜,该单晶金刚石膜具有最小的颗粒或衬底之间的失配和Si单晶衬底上的表面粗糙度。根据本发明的方法,通过在第一步中选择性地生长具有与Si衬底相同的晶格方向的聚集体结构,并逐步控制合成条件以使得能够二维生长Si,从而使表面生长最小化。第二步中的钻石。可以合成所制备的单晶金刚石膜。

著录项

  • 公开/公告号KR960031661A

    专利类型

  • 公开/公告日1996-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 김은영;

    申请/专利号KR19950003755

  • 发明设计人 백영준;은광용;

    申请日1995-02-25

  • 分类号C30B25/16;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:44:33

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