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机译:甚至具有晶界界面相的增强氮化硅陶瓷材料及其制备方法。
公开/公告号DE69204992T2
专利类型
公开/公告日1996-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 DOW CHEMICAL CO US;
申请/专利号DE1992604992T
发明设计人 HWANG CHINMAU US;PYSIK ALEKSANDER US;
申请日1992-01-06
分类号C04B35/58;C04B35/80;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 03:41:14
机译: 具有晶界晶界的自增强氮化硅陶瓷及其制备方法
机译: 具有晶粒晶界相的自增强氮化硅陶瓷及其制造方法