一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO₃ 95.35～99.30份、Nb₂O₃ 0.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO₃、Nd₂O₃、CaO、Sm₂O₃、Al₂O₃和SiO₂中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。