首页> 外国专利> Incorporated in the transistor source housed in a notch formed in a wall of the body of the cavity resonante.

Incorporated in the transistor source housed in a notch formed in a wall of the body of the cavity resonante.

机译:包含在晶体管源中,该晶体管源容纳在形成在谐振腔体壁上的凹口中。

摘要

Microwave generator, of the type comprising a hyperfrequency source element (5) of negative resistance and a cylindrical resonant cavity (2), characterized in that the hyperfrequency source element (5) is installed directly in the resonant cavity (2) in a notch (6) provided in the thickness of one of its walls. & br / this invention concerns the manufacturers of the microwave generators intended for applications.
机译:包括负电阻的高频源元件(5)和圆柱形谐振腔(2)的类型的微波发生器,其特征在于,高频源元件(5)直接安装在谐振腔(2)中的一个槽口( 6)设置其壁厚之一。 &本发明涉及打算用于应用的微波发生器的制造商。

著录项

  • 公开/公告号FR2677192B1

    专利类型

  • 公开/公告日1997-01-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SADIS BRUKER SPECTROSPIN;

    申请/专利号FR19910006630

  • 发明设计人 MARTINACHE LAURENT;RINGEISEN VICTOR;

    申请日1991-05-29

  • 分类号H03B7/00;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 03:12:33

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号