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METHOD FOR MAKING IMPROVED LSCO STACK ELECTRODE

机译:改进的LSCO堆栈电极的制造方法

摘要

A method for making an improved LSCO stack in the generation of platinum features on the surface of a substrate. The method provides an inexpensive means for depositing and etching LSCO material in the construction of small platinum features. The method comprises sputtering of the LSCO material and utilizing a photoresist mask to pattern the LSCO in accordance with the platinum features. The problems and expense associated with high-temperature deposition of LSCO on platinum and the etching thereof are overcome by sputtering the LSCO at room temperature.
机译:一种在衬底表面上产生铂特征时制造改进的LSCO叠层的方法。该方法提供了用于在小的铂特征结构中沉积和蚀刻LSCO材料的廉价方法。该方法包括溅射LSCO材料并利用光致抗蚀剂掩模根据铂特征对LSCO进行图案化。通过在室温下溅射LSCO克服了与LSCO在铂上的高温沉积及其蚀刻有关的问题和费用。

著录项

  • 公开/公告号EP0815590A1

    专利类型

  • 公开/公告日1998-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RADIANT TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号EP19960908739

  • 发明设计人 BOYER LENARD;EVANS JOSEPH TATE JR.;

    申请日1996-03-08

  • 分类号H01L21/44;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 02:49:55

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